1 kość pamięci ma :
Kod: Zaznacz cały
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
2 kość pamięci ma :
Kod: Zaznacz cały
Szybkość pamięci PC2100 (133 MHz)
Czyli na to wychodzi że szyna fsb spada mi do :
Kod: Zaznacz cały
Rzeczywista częstotliwość taktowania 133 MHz (QDR)
W takim razie lepiej zostawić tą kość 256 mb czy wyjąć bo jak wyjmę to będę miał mniej ramu ale za to szyna podskoczy mi na 200 MHz.
Tutaj jest log z Everesta :
Kod: Zaznacz cały
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: A-Data DNGB1916 ]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu A-Data DNGB1916
Numer seryjny Brak
Rozmiar modułu 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
Producent modułu pamięci:
Nazwa firmy A-DATA Technology Co., Ltd.
Informacje o produkcie http://www.adata.com.tw/adata_en/drammodule.php
[ DIMM2: 256 MB PC2100 DDR SDRAM ]
Właściwości modułu pamięci:
Numer seryjny Brak
Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC2100 (133 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci:
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane