Nowe pamięci będą posiadały pojemność 4Gb. Nowy, wysokiej gęstości proces produkcyjny pozwoli tym pamięciom pracować przy zasilaniu około 1.5 lub nawet 1.35V przy częstotliwości 1600MHz. Moduły te będą stosowane dla pamięci 16GB i 32GB RDIMM, a także dla 8GB SO-DIMM.
Firma wprowadziła swoje pierwsze układy 40nm dla DDR3 w lipcu zeszłego roku. Dong-soo Jun, wiceprezes działu marketingu pamięci Samsung Electronics powiedział: "Teraz, zaledwie siedem miesięcy...
Jeżeli interesuje Ciebie ten news, możesz go przeczytać w całości i skomentować go na stronie=> Samsung rozpoczyna produkcję pamięci 40nm 4Gb DDR3
